ZnTe插层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响

• 作者: 冯良桓 宋慧瑾 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 鄢强 黎兵
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共蒸发沉积 背接触 碲化镉太阳电池 碲化锌插层 填充因子
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 105-109
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.42
• 字数: 4091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.02.007

摘要

从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll-over)和光照、高正偏压下光暗I-V曲线相交(Cross over)现象.通过对比有无插层的CdTe太阳电池在C-V、I-V特性和光谱响应的不同,肯定了插层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器件前结CdS/CdTe的二极管特性和短波光谱响应.实验结果还表明,不掺杂的ZnTe对提高器件的效率是必要的.恰当的不掺杂层厚度和退火温度能最有效地改进CdTe太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著.