SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响

• 作者: 吴建辉 孙伟锋 孙智林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS RESURF SOI
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 536-540
• 页数: 5页
• 分类号: TN710
• 字数: 2113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.022

摘要

对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建辉	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	102	725	13.0	20.0
2	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
3	孙智林	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	7	53	4.0	7.0