As在HgCdTe外延层中的扩散系数

• 作者: 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 徐非凡 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷 扩散 二次离子质谱 碲镉汞 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.01.002

摘要

使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子束外延样品中的扩散系数.获得了在240℃,380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用.研究表明在低温段的240℃/24～48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃/16小时和440℃/30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓.综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃/30分钟的退火条件较理想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐非凡	中科院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	10	2.0	2.0
2	吴俊	中科院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	10	2.0	2.0
3	巫艳	中科院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	10	2.0	2.0
4	陈路	中科院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	10	2.0	2.0
5	于梅芳	中科院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	10	2.0	2.0
6	何力	中科院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	10	2.0	2.0