利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

• 作者: 丁琨 刘丰珍 刘金龙 周炳卿 周玉琴 朱美芳 李国华 董宝中 谷锦华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜 微结构 微空洞 x射线小角散射
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2172-2175
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.038

摘要

采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.