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摘要:
根据多种GaAs单元电路的工作特点,设计了两个基于GaAs BFL单元的2分频器,单元结构简单,工作频率高,功耗低.模拟仿真的结果显示,其工作频率分别可以达到40 GHz和25 GHz.
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文献信息
篇名 BFL与非门或非门单元组成的高性能GaAs分频器的设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 BFL GaAs 分频器
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 138-141
页数 4页 分类号 TN772|TN43
字数 1534字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.035
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 西安电子科技大学微电子研究所 420 2932 23.0 32.0
2 李跃进 西安电子科技大学微电子研究所 70 432 11.0 17.0
3 朱樟明 西安电子科技大学微电子研究所 164 1318 18.0 26.0
4 吴振奎 西安电子科技大学微电子研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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2005(0)
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研究主题发展历程
节点文献
BFL
GaAs
分频器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导