氧化物辅助生长硅纳米线

• 作者: 唐元洪 张勇 裴立宅 郭池 陈扬文
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 硅纳米线 氧化物辅助生长 激光烧蚀 热蒸发
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 54-58
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3|TN304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2005.06.014

摘要

氧化物辅助生长机理是近年来在合成硅纳米线的过程中发展起来的一种研究一维纳米材料生长的机理,根据此机理已经制备出了多种一维纳米材料.介绍了氧化物辅助生长机理及其根据此机理制备硅纳米线的制备方法,载气、压力及原料等不同条件对合成硅纳米线的影响等进展情况,并对其发展作了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	湖南大学材料科学与工程学院	64	923	15.0	29.0
2	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
3	裴立宅	湖南大学材料科学与工程学院	37	510	14.0	21.0
4	郭池	湖南大学材料科学与工程学院	20	250	9.0	15.0
5	陈扬文	湖南大学材料科学与工程学院	16	217	9.0	14.0