碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究

• 作者: 刘新进 庄维莎 李富培 李玉德 郭云成
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 红外材料 组分均匀性
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 384-387
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 1442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.009

摘要

通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性(x为±0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉德		3	1	1.0	1.0
2	刘新进		2	1	1.0	1.0
3	李富培		1	1	1.0	1.0
4	郭云成		1	1	1.0	1.0
5	庄维莎		1	1	1.0	1.0