高速电路设计与库模型应用的研究

• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 库模型 RF管 MM管 高速电路
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 125-127,94
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1946字
• 语种: 中文

摘要

通过对TSMC 0.18(m CMOS工艺库模型的分析,电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结果的验证比较,提出在深亚微米工艺中,大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行.