N2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响

• 作者: 冯泉林 刘佐星 刘斌 周旗钢 王敬
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 硅抛光片 洁净区 氧沉淀 内吸杂 原子力显微镜 微粗糙度
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 810-813
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.002

摘要

快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	王敬		16	83	5.0	8.0
3	冯泉林		7	14	2.0	3.0
4	刘斌		5	6	2.0	2.0
5	刘佐星		1	2	1.0	1.0