类氢硅离子双电子复合的理论研究

• 作者: 唐永建 朱正和 杨天丽 蒋刚 谌晓洪
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 双电子复合 类氢硅离子 速率系数
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: O56
• 字数: 3706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2005.01.021

摘要

基于准相对论多组态Hartree-Fock理论和Cowan程序包(RCN34/RCN2/RCG9),计算了类氢硅离子双电子复合速率系数,讨论了双激发自电离态电子的轨道角动量、电子温度、双电子复合过程的末态选择等对类氢硅离子双电子复合速率系数的影响.计算结果表明:在研究的电子温度范围内,复合通道为2pnp→2pn'l'的复合占优势,在电子温度Te=0.07keV时,总复合系数达到共振峰aDR=1.41×10-11cm3·s-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋刚	四川大学原子分子物理工程研究所	148	618	12.0	18.0
2	朱正和	四川大学原子分子物理工程研究所	291	1519	18.0	24.0
3	唐永建		281	2334	24.0	31.0
4	谌晓洪	四川大学原子分子物理工程研究所	32	91	5.0	8.0
8	杨天丽	四川大学原子分子物理工程研究所	5	4	2.0	2.0