用光谱和零场分裂确定晶体K2ZnF4:Ni2+的局部结构参数

• 作者: 余飞 曾体贤 陈太红
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体场和配位场 局部结构参数 光谱 零场分裂 g因子
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 573-577
• 页数: 5页
• 分类号: O737
• 字数: 3807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2005.05.018

摘要

采用半自洽场(semi-SCF)d-轨道模型和点电荷-偶极子模型,利用完全对角化方法,由K2ZnF4:Ni2+的d-d跃迁光谱和零场分裂D,确定了晶体K2ZnF4:Ni2+在常温(290K)和低温(4.2K)下的局部结构参数,并预测了顺磁g因子的大小.建立了局部结构参数与光谱、零场分裂之间的定量关系,并统一解释了K2ZnF4:Ni2+晶体的光谱和零场分裂的实验值,所得理论结果与实验值符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈太红	西华师范大学物理与电子信息学院	61	155	7.0	9.0
2	余飞	西华师范大学物理与电子信息学院	7	15	2.0	3.0
3	曾体贤	西华师范大学物理与电子信息学院	47	165	5.0	12.0