纳米SiO2/PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究

• 作者: 付绍云 李艳 王正道 蒋少卿
• 来源期刊: 北京交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固体力学 聚酰亚胺 二氧化硅 低温 热膨胀系数
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 工程力学
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: O39|TB131
• 字数: 4012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0291.2005.01.011

摘要

高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米SiO2对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备了不同SiO2含量的纳米SiO2/PI复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装置,对纳米SiO2/PI复合薄膜室温至低温(77 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了SiO2含量、外加载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳	中国科学院理化技术研究所	73	935	16.0	28.0
2	付绍云	中国科学院理化技术研究所	37	746	17.0	26.0
3	王正道	北京交通大学土木建筑工程学院	17	157	8.0	12.0
4	蒋少卿	北京交通大学土木建筑工程学院	1	13	1.0	1.0