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摘要:
以GaAs/A1GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面探测器因其成熟的材料生长和器件工艺技术,一直是与传统的HgCdTe红外探测器并驾齐驱的红外探测器.近十年来随着对器件结构、机理及器件工艺的不断改进,大面阵Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面器件发展显著.本文介绍了量子阱红外焦平面探测器的优越性及存在的问题,当前欧美国家量子阱红外焦平面探测器的最新研究发展、产品现状及应用前景.
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内容分析
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文献信息
篇名 国外量子阱红外焦平面探测器的发展概况
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 量子阱 红外 焦平面探测器 欧美国家 发展状况
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 综述与评论
研究方向 页码范围 274-278
页数 5页 分类号 TN2
字数 3589字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.04.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 史衍丽 41 372 8.0 18.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
量子阱
红外
焦平面探测器
欧美国家
发展状况
研究起点
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研究分支
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期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
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30858
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