Au/p-CdZnTe欧姆接触的研究

• 作者: 介万奇 李强 汪晓芹
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 退火 功函数 掺杂 隧道效应
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 335-337,365
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.018

摘要

研究了在60℃下大气中退火不同时间对Au/p-CdZnTe(CZT)欧姆接触特性的影响.通过I-V测试发现,退火2 h时,Au/p-CZT能得到较好的欧姆接触特性.用SEM和XPS进一步分析发现,在2 h退火过程中,Au大量向CZT体表层扩散,作为受主杂质占据Cd位,对CZT体表层进行了p型重掺杂,形成了M-p+-p型欧姆接触.Cd、Te在退火过程中几乎未向Au层扩散,Au在扩散过程中未与CZT中的元素形成任何化合物.同时,CZT侧面有27.01%的Te氧化成有钝化作用的TeO2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料科学与工程学院	272	1636	19.0	27.0
2	李强	西北工业大学材料科学与工程学院	116	784	15.0	18.0
3	汪晓芹	西北工业大学材料科学与工程学院	8	24	2.0	4.0