SiC基的高性能紫外光电探测器

• 作者: 梁锦 谢家纯 黄莉敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带 SiC肖特基 光谱响应 UV探测器
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 256-260
• 页数: 5页
• 分类号: TN23
• 字数: 1848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.065

摘要

用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200～400nm之间,室温无偏压下,响应峰值在320nm,响应半宽为82nm.在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380nm之间有非常平稳的光谱响应;在高温533K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄莉敏	中国科学技术大学物理系	4	44	4.0	4.0
2	谢家纯	中国科学技术大学物理系	16	181	8.0	13.0
3	梁锦	中国科学技术大学物理系	3	25	3.0	3.0