低电场应力下闪速存储器的退化特性

• 作者: 刘红侠 郑雪峰 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 闪速存储器 应力诱生漏电流 低电场应力 电容耦合效应
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2428-2432
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.030

摘要

基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
4	郑雪峰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	39	4.0	6.0