Zr对非晶Co-Si薄膜晶化和相变的影响

• 作者: 吴建生 吴海凤 程凡雄 董显平
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 钴硅薄膜 晶化 相变 微观结构 锆
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米技术和薄膜
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TG132.2
• 字数: 3030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2005.04.008

摘要

利用X射线衍射分析技术结合差示扫描量热仪,研究了Zr在Co-Si合金非晶薄膜晶化和相变过程中的作用.结果表明:溅射态非晶Co-Si薄膜和Co-Si-Zr薄膜在加热到950℃的过程中,均主要析出Co-Si和Co-Si2两种晶化相;Zr的加入增大了晶化激活能,抑制了晶化相的形核和长大,使薄膜能够在更高的温度范围保持稳定,但在高温800℃以上加热时,却使晶化相Co-Si向Co-Si2的转变加快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建生	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料高温测试教育部重点实验室	141	1402	19.0	30.0
2	董显平	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料高温测试教育部重点实验室	20	67	5.0	7.0
3	程凡雄	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料高温测试教育部重点实验室	4	4	1.0	1.0
4	吴海凤	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料高温测试教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0