影响碳纳米管生长与结构的参数研究

• 作者: 严辉 于慕楠 周英 王必本 王波
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 化学
• 关键词: 碳纳米管 辉光放电 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: O631.71
• 字数: 2171字
• 语种: 中文

摘要

采用负偏压增强热丝化学气相沉积(CVD)方法,在沉积有MFe催化剂层及Ta或Ti过渡层的Si衬底上,通过改变沉积条件制备出不同结构的碳纳米管.扫描电子显微镜的研究结果表明,当过渡层为Ta时,碳纳米管的生长速度比Ti过渡层的大;在沉积过程中,有或无辉光放电时,生长出的碳纳米管分别是定向和弯曲的;同时还观察到随着反应气体中NH3浓度的加大,碳纳米管的生长速度会随之增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学量子信息材料实验室	178	1225	16.0	29.0
2	王必本	北京工业大学量子信息材料实验室	28	76	5.0	6.0
6	王波	北京工业大学量子信息材料实验室	80	638	11.0	23.0
7	于慕楠	北京工业大学量子信息材料实验室	1	4	1.0	1.0
8	周英	北京工业大学量子信息材料实验室	1	4	1.0	1.0