Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究

• 作者: 吴正云 张峰 杨伟锋 杨克勤 王良均 陈厦平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC Schottky势垒高度 退火
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 277-280
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.070

摘要

采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨伟锋	厦门大学物理系	22	143	7.0	10.0
2	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
6	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0
7	张峰	厦门大学物理系	40	79	5.0	8.0
8	杨克勤	厦门大学物理系	3	16	3.0	3.0
9	王良均	厦门大学物理系	1	5	1.0	1.0