一种提高垂直腔面发射激光器性能的新工艺

• 作者: 姜晓光 王立军 谢浩锐 赵英杰 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 外延生长 激光二极管 量子阱激光器 半导体激光器 垂直腔面发射激光器
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2290-2293
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.006

摘要

采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率.采用开环分布孔代替环形沟槽,使器件的输出功率提高了0.34倍.14μm孔径的器件输出功率超过10mW,工作电流为29.6mA时,最大输出功率达到12.48mW.而且,这些开环分布孔为电注入提供了便捷的桥通道,很好地解决了电极易过沟断线问题.器件表现了良好的高温工作特性,当温度高达60℃时输出功率仍可达到8mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	郝永芹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	87	5.0	8.0
3	姜晓光	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	11	102	3.0	10.0
4	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
5	谢浩锐	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	王立军		5	63	4.0	5.0