Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

• 作者: 蓝志强 赵妙 高英俊 黄创高
• 来源期刊: 贵金属
• 学科: 工学
• 关键词: 金属材料 价电子结构 EET理论 表面能 无沉淀带
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.3+2
• 字数: 3155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0676.2005.01.001

摘要

运用固体经验电子理论(EET),对Al-Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算.结果表明,沉淀相与基体的界面处能量连续性较差,γ相的表面结合能高于基体的表面结合能,在界面处形成能量势阱.因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子,引起γ相周围Ag原子的贫乏,出现γ相无沉淀带(PFZ).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高英俊	广西大学物理科学与工程技术学院	171	1186	18.0	26.0
3	黄创高	广西大学物理科学与工程技术学院	46	279	9.0	13.0
4	蓝志强	广西大学物理科学与工程技术学院	32	87	5.0	7.0
7	赵妙	广西大学物理科学与工程技术学院	4	21	2.0	4.0