GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

• 作者: 刘宗顺 张书明 朱建军 李娜 杨辉 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 持续光电导 光淬灭
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 304-308
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.016

摘要

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	李娜	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	207	2106	25.0	37.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
4	张书明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	11	20	3.0	4.0
5	朱建军	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	17	121	5.0	10.0
6	刘宗顺	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	8	28	3.0	5.0