分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 王元樟 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 碲化镉 硅基
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 245-249
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.04.002

摘要

报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRD FWHM平均值为120 arc sec,最好达到100 arc sec,无(133)孪晶和其他多晶晶向.