N-E模型描写的弱锚定边界条件下的Freedericksz转变

• 作者: 孙宗利 张志东 魏怀鹏
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 液晶 锚定能 N-E模型 阈值磁场 饱和磁场
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 488-492
• 页数: 5页
• 分类号: O753.2
• 字数: 3150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.005

摘要

N-E模型具有两个参数用于描写液晶在基板上的锚定能.采用该模型研究了弱锚定条件下的Freedericksz转变.通过变分理论得到指向矢满足的微分方程和边界条件,得到了阈值磁场和饱和磁场分别满足的方程.理论结果与R-P模型进行了比较.通过阈值磁场和饱和磁场可以确定N-E模型中的两个参数.基于微分方程和边界条件对液晶盒中的指向矢分布进行了计算.数值结果验证了阈值磁场和饱和磁场满足解析方程的正确性.得到结论:N-E模型是描写液晶在基板上弱锚定的候选模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志东	河北工业大学理学院	120	424	10.0	13.0
2	魏怀鹏	河北工业大学理学院	13	101	5.0	10.0
3	孙宗利	河北工业大学理学院	1	2	1.0	1.0