MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器

• 作者: 刘金彬 毛陆虹 陈弘达 雷晓荃 高鹏 黄家乐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单片集成 MS/RF CMOS工艺 硅光电探测器 暗电流 响应度 结电容
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1995-2000
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 3150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.025

摘要

为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子与信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	高鹏	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	102	956	15.0	27.0
3	陈弘达	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	82	341	10.0	13.0
4	雷晓荃	天津大学电子与信息工程学院	2	11	1.0	2.0
5	黄家乐	天津大学电子与信息工程学院	4	13	2.0	3.0
6	刘金彬	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	5	23	3.0	4.0