聚酰亚胺纳米杂化薄膜绝缘材料77K下的电击穿性能研究

• 作者: 付绍云 李元庆
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 纳米杂化材料 聚酰亚胺 蒙脱土 聚酰亚胺 云母 氧化硅 低温电气强度
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2005.05.008

摘要

介绍了 77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺 /蒙脱土、聚酰亚胺 /云母、聚酰亚胺 /SiO2 三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺 /蒙脱土电气强度最佳可达 215.77MV/m;对于聚酰亚胺 /SiO2系列,电气强度比纯 PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付绍云	中国科学院理化技术研究所	37	746	17.0	26.0
2	李元庆	中国科学院理化技术研究所	7	117	6.0	7.0