Nd和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体的性能研究

• 作者: 刘小珍 桑文斌 毛蕾 陈捷
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 化学
• 关键词: X射线衍射 掺杂 导电粉
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 407-409
• 页数: 3页
• 分类号: O434.19|O657.39
• 字数: 1050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8138.2005.02.051

摘要

本文分别用XRD、TG/DSC/DTG和TEM等对Nd和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体的性能进行了研究.XRD测量结果表明,Sb掺杂SnO2为替代型掺杂,Nd8+与Sn4+和O2-结合形成Nd2Sn2O7.TG/DSC/DTA结果表明,750℃以前前驱体已失去全部水分,并完全转化为氧化物.TEM测定结果表明,该粉体的粒径大约为20-30nm.用四探针法测定该粉体的电阻率为0.35Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学材料科学与工程学院	53	535	15.0	20.0
2	刘小珍	上海大学材料科学与工程学院	3	14	2.0	3.0
6	陈捷	复旦大学化学系	7	48	4.0	6.0
7	毛蕾	上海应用技术学院化工系	1	6	1.0	1.0