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摘要:
介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50 Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1.
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文献信息
篇名 X波段功率单片放大器的研制
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 功率单片放大器 器件模型 砷化镓
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 设计与开发
研究方向 页码范围 60-62
页数 3页 分类号 TN722.7+5
字数 1737字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.12.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 武继斌 4 33 3.0 4.0
2 王同祥 4 14 2.0 3.0
3 张务永 4 33 4.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率单片放大器
器件模型
砷化镓
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
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