超薄Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质及器件

• 作者: 徐秋霞 林钢
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质 栅隧穿漏电流 SILC特性 栅介质寿命 CMOS器件
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 115-119
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.024

摘要

成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究.结果表明,同样EOT的Si3N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者.在此基础上,采用Si3N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0.12μm的CMOS器件,器件很好地抑制了短沟道效应.在Vds=Vgs=±1.5V下,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为584.3μA/μm和-281.3μA/μm,对应Ioff分别是8.3nA/μm和-1.3nA/μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	林钢	中国科学院微电子研究所	4	10	2.0	3.0