氮化物结合碳化硅窑具材料抗氧化性能研究

• 作者: 刘春侠 张治平 王文武 赵俊国
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: Si2N2O结合SiC Si3N4结合SiC 抗氧化性
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 3042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2005.05.004

摘要

在不同氧化温度下(1 150～1 450 ℃)对氮化物(Si2N2O)结合碳化硅(SiC)与氮化硅(Si3N4)结合碳化硅(SiC)两种氮化物结合SiC窑具材料的抗氧化性进行了对比研究.结果表明:在显气孔率与氧化面积相近的情况下,Si2N2O结合SiC材料低温下(＜1 250 ℃)具有较好的抗氧化性,而Si3N4结合SiC材料高温下(≥1 250 ℃)具有较好的抗氧化性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵俊国		3	24	2.0	3.0
2	王文武		4	27	3.0	4.0
3	刘春侠		2	14	2.0	2.0
4	张治平		1	11	1.0	1.0