GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

• 作者: 刘超 曾一平 李建平 李晋闽 高兴国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MBE 绝缘体上硅锗 退火行为
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1149-1153
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.98+4
• 字数: 3783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.016

摘要

在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×105cm-2;高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化,进一步提高SiGe薄膜的晶体质量,并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所材料中心	251	4235	35.0	54.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所材料中心	75	652	13.0	23.0
3	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
4	刘超	中国科学院半导体研究所材料中心	128	874	18.0	25.0
5	高兴国	中国科学院半导体研究所材料中心	3	13	2.0	3.0