电力电子市场预测

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 电力电子技术 绝缘栅双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 市场预测
• 年，卷（期）: bpqsj_2005,（1）
• 页码范围: 70
• 页数: 1页
• 分类号: TN322.8

摘要

新型电力半导体器件-绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种集高频率、高电压、大电流于一身的新一代理想的电力半导体器件，是电力电子技术的第三次革命的代表产品，填补国内电力电子空白的产品。