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摘要:
<正>Chlorine-implantation of silicon has a number of applications, for example, possible effects due to introduction of chlorine by plasma etching of silicon wafer as a procedure of device techniques, or chlorine implantation as a proposed efficient n-type doping method. However, the microstructural evolution in chlorine-ion implanted silicon has not been systematically studied.Un the present work we carried out some study with emphasis on the dose dependence of microstructures. P-type silicon specimens were implanted
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篇名 Microstructural Evolution in Silicon Implanted with Chlorine Ions
来源期刊 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 学科 工学
关键词 氯离子注入 硅晶片 组织演变 应用程序 设备技术 掺杂方法 结构演变 联合国
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 62
页数 1页 分类号 TG172.82
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氯离子注入
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联合国
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中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版
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兰州市城关区南昌路509号
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