富硅氮化硅薄膜的荧光发射

• 作者: 刘渝珍 王小波 董立军 陈大鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅镶嵌的SiNx膜 光致发光 内应力 快速退火(RTA)
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 380-384
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.03.019

摘要

室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2.7, 2.69, 2.4, 2.3, 2.1 eV.通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系.经过1 000～1 200 ℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0, 2.8 eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论.认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
2	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0