ITO导电膜红外发射率理论研究

• 作者: 吴小文 崔敏 张维佳 王天民 钟立志
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外发射率 ITO薄膜 理论计算 方块电阻
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4439-4444
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.087

摘要

根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indium tin oxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合. 并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8-14μm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能. 讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院	140	1545	22.0	32.0
2	崔敏	北京航空航天大学理学院	10	72	4.0	8.0
3	张维佳	北京航空航天大学理学院	18	162	8.0	12.0
4	吴小文	北京航空航天大学理学院	7	60	4.0	7.0
5	钟立志	北京航空航天大学理学院	6	57	4.0	6.0