锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量

• 作者: 周炎辉 王宇青
• 来源期刊: 实验室研究与探索
• 学科: 工学
• 关键词: 锗-雪崩光电二极管 微带电路 取样 响应时间
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 20-22,89
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.7
• 字数: 3247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7167.2005.05.008

摘要

基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炎辉	上海交通大学物理系	3	7	2.0	2.0
2	王宇青	上海交通大学物理系	2	9	2.0	2.0