Sb2O3掺杂对PZT压电陶瓷微观结构与性能的影响

• 作者: 凌志远 王科 邱文辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 锆钛酸铅 掺杂 显微结构 压电性能
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TM22
• 字数: 2130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.08.011

摘要

Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结构,随Sb2O3掺入量增加,平均晶粒尺寸保持稳定,压电活性减弱;Sb2O3掺入量为1.9%～2.0%处,压电活性最强.主要性能指标:εr为1 925,tgδ为2.35×10-2,d33为440 pC/N,kp为64%,Qm为70,tC为300℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	凌志远	华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系	17	110	6.0	10.0
2	王科	华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系	6	45	3.0	6.0
3	邱文辉	华南理工大学材料学院电子材料科学与工程系	1	28	1.0	1.0