ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理

• 作者: 康仁科 李秀娟 苏建修 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 非均匀性 磨粒
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 606-612
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.1+2
• 字数: 4639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.035

摘要

从运动学角度出发,根据硅片与抛光垫的运动关系,通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹,揭示了抛光垫和硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响.分析结果表明:硅片与抛光垫转速相等转向相同时可获得最佳的材料去除非均匀性及材料去除率.研究结果为设计CMP机床,选择CMP的运动参数和进一步理解CMP的材料去除机理提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科		165	2562	24.0	44.0
2	郭东明		273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉		105	1334	18.0	32.0
4	苏建修		43	283	9.0	15.0
8	李秀娟		12	204	8.0	12.0