一种新型抗辐照SOI隔离结构

• 作者: 司红 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隔离结构 抗辐照 SOI
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1291-1294
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.003

摘要

制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	赵洪辰	中国科学院微电子研究所	10	29	4.0	5.0
4	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
5	司红		25	82	6.0	7.0