非定向氧化锌纳米线阵列的场发射

• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌纳米线 场发射 场发射中心分布 屏蔽效应
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 774-779
• 页数: 6页
• 分类号: TN141|TN103
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2005.05.017

摘要

使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列.经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点.在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20 nm之间.考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下.然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性.在5.5 V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布.