靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响

• 作者: 巴德纯 汪保卫 沈辉 王贺权 闻立时
• 来源期刊: 真空
• 学科: 化学
• 关键词: 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|O614.41+1
• 字数: 3081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2005.01.003

摘要

应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6 sccm,氧流量为15 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定.通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯		250	1491	18.0	22.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	沈辉		121	1808	24.0	37.0
4	王贺权		7	99	6.0	7.0
8	汪保卫	中国科学院广州能源研究所	7	110	7.0	7.0