放电等离子烧结Si3N4陶瓷

• 作者: 宋士华 李养良 李永志 杜大明
• 来源期刊: 佛山陶瓷
• 关键词: 氮化硅 放电等离子烧结 致密化 析晶 显微结构
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8236.2005.06.003

摘要

本文用放电等离子烧结法制备Si3N4陶瓷,通过排水法测定密度,X射线衍射法测定物相变化,透射电镜进行微观形貌的观察.发现在烧结过程中,当高于1 450℃时MgO-CeO2与氮化硅粉末表面的SiO2反应形成硅酸盐液相,促进烧结致密化,冷却后形成玻璃相留在晶界,氮化硅的致密化在1 500℃接近完成,但高于1 550℃时,出现MgO自析晶,微观形貌为相互交织的等轴状的α-Si3N4和柱状的β-Si3N4晶粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋士华	九江学院材料科学与工程学院	36	267	8.0	15.0
2	李养良	九江学院材料科学与工程学院	64	411	11.0	19.0
3	杜大明	九江学院材料科学与工程学院	38	243	9.0	14.0
4	李永志	九江学院材料科学与工程学院	28	104	6.0	7.0