钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究

• 作者: 杨传仁 符春林 胡立业 陈宏伟
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡 薄膜 C-V曲线 不对称 界面
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1704-1705,1708
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|O485
• 字数: 1470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.11.018

摘要

采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极/铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称.最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨传仁	电子科技大学微电子与固体电子学院	69	525	11.0	18.0
2	陈宏伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	51	360	10.0	15.0
3	符春林	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	239	10.0	15.0
4	胡立业	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	33	3.0	4.0