用Ti/Cu/Ni中间层二次部分瞬间液相连接Si3N4陶瓷的研究

• 作者: 初亚杰 蒋志国 邹家生 陈铮
• 来源期刊: 航空材料学报
• 关键词: 氮化硅 二次PTLP连接 连接强度 界面结构 反应层
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TG406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5053.2005.05.006

摘要

采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次PTLP连接,研究Ti箔厚度、连接工艺参数对Si3N4/Ti/C/Ni连接强度和界面结构的影响.结果表明:Ti箔厚度对连接强度的影响是通过对反应层厚度的影响体现的;在本文试验条件下,改变二次连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响,其对室温强度的影响是由于连接接头残余应力的变化所导致的;Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面微观结构为Si3N4/反应层/Cu-Ni固溶体层(少量的Cu-Ni-Ti)/Ni.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹家生	南京理工大学材料科学与工程系	92	507	12.0	17.0
5	陈铮	江苏科技大学材料学院	5	38	4.0	5.0
6	蒋志国	江苏科技大学材料学院	5	84	5.0	5.0
7	初亚杰	江苏科技大学材料学院	2	27	2.0	2.0