透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展

• 作者: 吴锋 夏长泰 张俊刚 徐军 裴广庆
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电材料 β-Ga2O3单晶体 浮区法 衬底
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 676-681
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.024

摘要

本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用.β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	中国科学院上海光学精密机械研究所	290	2418	22.0	34.0
2	夏长泰	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	225	8.0	14.0
3	裴广庆	中国科学院上海光学精密机械研究所	4	54	4.0	4.0
7	张俊刚	中国科学院上海光学精密机械研究所	7	235	5.0	7.0
11	吴锋	中国科学院上海光学精密机械研究所	28	302	9.0	17.0