热压法制备Si-Al电子封装材料及其性能

• 作者: 冯曦 李世晨 杨培勇 郑子樵
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 电子封装 硅铝 复合材料 热压 热导 热膨胀系数
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 11-15
• 页数: 5页
• 分类号: TB331|TG146
• 字数: 3295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2005.01.003

摘要

采用真空热压烧结方法,制备了性能优异的Si-Al电子封装材料.其热导率高于110 W·m-1·K～,热膨胀系数从5～10μm·K-1可调控,密度低于2.5 g·cm-3.真空热压方法通过外界压力来克服非润湿状态下的毛细阻力,达到硅颗粒均匀分布,铝相呈连续网络状包裹的理想复合形貌组织.在铝熔点以上温度点进行的液相烧结均满足封装性能要求,且热压时间短、压力低.实验结果表明:热膨胀系数主要由硅含量确定,一定的临界压力值则是影响材料组织及性能的关键参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯曦	中南大学材料科学与工程学院	6	155	6.0	6.0
2	李世晨	中南大学材料科学与工程学院	66	1152	21.0	31.0
3	郑子樵	中南大学材料科学与工程学院	223	3915	30.0	50.0
4	杨培勇	中南大学材料科学与工程学院	7	142	5.0	7.0