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摘要:
采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布.分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较.结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响比较明显,静水应变几乎不受几何形状改变的影响,无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致,中心轴路径无切向应变分量,切向应变分量主要集中在量子点的边界,但在量子点几何边界的中心无切向应变,切向应变的极值分布在几何边界的拐点处.
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文献信息
篇名 应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 应变 量子点 自组织 低维材料
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2355-2362
页数 8页 分类号 O469
字数 2882字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄永箴 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 47 229 9.0 12.0
2 刘玉敏 北京邮电大学理学院 36 223 10.0 13.0
4 俞重远 北京邮电大学理学院 49 260 10.0 12.0
6 杨红波 北京邮电大学理学院 15 106 7.0 10.0
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自组织
低维材料
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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