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应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响
应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响
作者:
俞重远
刘玉敏
杨红波
黄永箴
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
应变
量子点
自组织
低维材料
摘要:
采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布.分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较.结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响比较明显,静水应变几乎不受几何形状改变的影响,无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致,中心轴路径无切向应变分量,切向应变分量主要集中在量子点的边界,但在量子点几何边界的中心无切向应变,切向应变的极值分布在几何边界的拐点处.
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文献信息
篇名
应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响
来源期刊
半导体学报
学科
物理学
关键词
应变
量子点
自组织
低维材料
年,卷(期)
2005,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
2355-2362
页数
8页
分类号
O469
字数
2882字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄永箴
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
47
229
9.0
12.0
2
刘玉敏
北京邮电大学理学院
36
223
10.0
13.0
4
俞重远
北京邮电大学理学院
49
260
10.0
12.0
6
杨红波
北京邮电大学理学院
15
106
7.0
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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半导体学报(英文版)2005年第9期
半导体学报(英文版)2005年第8期
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半导体学报(英文版)2005年第2期
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