微波功率器件及其材料的发展和应用前景

• 作者: 文剑 晏敏 曾健平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: TN385
• 字数: 7221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.11.001

摘要

本文介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾健平	湖南大学应用物理系	90	672	12.0	22.0
2	晏敏	湖南大学应用物理系	61	635	13.0	23.0
3	文剑	湖南大学应用物理系	12	78	5.0	8.0