利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性

• 作者: 孔蔚然 邹世昌 郭国超 陶凯 韩瑞津
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 现场蒸汽生成退火 低压化学汽相淀积 隧穿氧化层
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.5|TN405
• 字数: 1293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.12.010

摘要

利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善.这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶凯		9	51	4.0	6.0
7	邹世昌		20	60	4.0	7.0
9	韩瑞津		2	5	2.0	2.0
15	郭国超		1	3	1.0	1.0
16	孔蔚然		2	6	2.0	2.0