一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计

• 作者: 刘军 孙玲玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 简化VBIC模型 InGaP/GaAs HBT 宽带放大器
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 994-998
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.027

摘要

采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC～9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的模型设计出DC～9GHz两级直接耦合宽带放大器,该放大器增益达到19dB,输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB.